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2026
4-14Madoka自動凝膠時間測試儀在高速CCL樹脂材料研發(fā)中的應用人工智能計算中心是以人工智能芯片集群為基礎的算力基礎設施，涵蓋機房基建、硬件和軟件系統(tǒng)，支撐深度學習模型開發(fā)、訓練與推理，提供從芯片算力釋放到應用使能的全棧能力。傳統(tǒng)的通用服務器PCB可能只有十幾層。而AI服務器由于集成了多顆高功耗GPU、復雜的供電模塊和龐大的顯存，其PCB（如UBB主板、OAM加速卡板）層數通常高達20層到40層以上。PCB層數的增加，意味著壓合這塊PCB所需的CCL芯板（Core）和半固化片（PP）的數量成倍增長。一臺AI服務器對CCL的消耗面積遠超傳統(tǒng)...
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4-8Labodorf光密度計：黑色光刻膠（BM）測試方案彩色濾光片光刻膠（ColorFilterPhotoresist,CF光刻膠）是顯示光刻膠中價值量最大、種類最多的部分。與TFT光刻膠不同，CF光刻膠在光刻成型后會保留在面板內部，直接參與畫面的顯示。彩色光刻膠（RGBResist）：包含紅（R）、綠（G）、藍（B）三種顏色的光刻膠。它們內部添加了納米級的彩色顏料，光刻成型后構成彩色像素點，是液晶顯示器實現(xiàn)色彩的關鍵。黑色光刻膠（BlackMatrix,BM）：用于隔離RGB像素，防止漏光和混色，提升屏幕對比度。黑色光刻膠實驗室...
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3-31三大企業(yè)同時官宣！這個月，國產光刻膠迎來歷史性跨越！2026年3月，國產半導體材料領域傳來重磅消息。鼎龍股份、容大感光、徐州博康三家企業(yè)同步宣布重大進展：KrF/ArF光刻膠從技術研發(fā)正式邁入規(guī)模化量產階段，長期以來由日美企業(yè)主導的市場格局正在被打破。消息一出，光刻膠板塊迅速升溫，資金關注度明顯提升。在這場自主可控的浪潮中，哪些企業(yè)值得重點關注？事件背景：光刻膠國產化迎來實質突破受地緣政治影響，日美曾收緊光刻膠對華出口，國內晶圓廠的ArF光刻膠庫存一度不足30天。而隨著鼎龍股份（300噸）、南大光電（500噸）以及徐州博康的產...
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3-27高速分散乳化機其應用范圍廣泛且深入多個行業(yè)高速分散乳化機是一種集高速剪切、分散、均質、乳化和溶解功能于一體的多功能流體處理設備，廣泛應用于精細化工、食品、制藥、化妝品、涂料、油墨及納米材料等領域，用于制備穩(wěn)定、均勻、細膩的乳液、懸浮液或膏狀產品。其核心工作原理是利用高速旋轉的轉子（通常轉速達3,000–12,000rpm）與精密配合的定子之間形成的狹小間隙，產生強烈的機械剪切力、液力空穴效應和湍流沖擊。物料在吸入腔內被迅速卷入，在轉定子區(qū)域經歷數十萬次/分鐘的剪切與撞擊，使液滴或顆粒被破碎至微米甚至亞微米級（可達0....
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3-26高速分散乳化機其自身擁有怎樣的特點呢？高速分散乳化機是一種集高速剪切、分散、均質、乳化和溶解功能于一體的多功能流體處理設備，廣泛應用于精細化工、食品、制藥、化妝品、涂料、油墨及納米材料等領域，用于制備穩(wěn)定、均勻、細膩的乳液、懸浮液或膏狀產品。其核心工作原理是利用高速旋轉的轉子（通常轉速達3,000–12,000rpm）與精密配合的定子之間形成的狹小間隙，產生強烈的機械剪切力、液力空穴效應和湍流沖擊。物料在吸入腔內被迅速卷入，在轉定子區(qū)域經歷數十萬次/分鐘的剪切與撞擊，使液滴或顆粒被破碎至微米甚至亞微米級（可達0....
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3-19光刻膠：芯片制造中的“感光底片”在芯片制造那如同納米級雕刻的精密世界里，有一種材料雖不起眼，卻起著至關重要的作用——光刻膠。它就像傳統(tǒng)攝影中的底片，負責記錄下掩模版上的電路圖案，并精準地轉印到硅晶圓上。別看它只是薄薄一層，其背后卻隱藏著復雜的化學配方、精密的厚度設計，以及與刻蝕工藝之間環(huán)環(huán)相扣的配合。而在實際生產中，光刻膠的每一項參數都像是一個可調節(jié)的旋鈕，工程師通過精細調控這些變量，來確保圖形轉移的精確度。光刻膠的“配方密碼”光刻膠的調配，堪比調制一味復雜的藥方，通常包含三大核心組分。首先，聚合物樹脂是它...
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3-17這篇帶你看懂：顯示光刻膠到底是什么？在平板顯示產業(yè)鏈中，顯示光刻膠是關鍵電子化學品，也是決定面板精度、畫質與良率的耗材。區(qū)別于半導體光刻膠、PCB光刻膠，顯示光刻膠專攻面板制造領域，貫穿TFT-LCD、AMOLED、Mini/MicroLED等全品類顯示器件制程，是顯示產業(yè)自主可控進程中不可忽視的細分賽道。本文為您客觀解讀顯示光刻膠的本質、分類與產業(yè)價值。顯示光刻膠的標準定義與原理顯示光刻膠屬于光致抗蝕劑范疇，是由樹脂、光引發(fā)劑、溶劑及助劑組成的高分子聚合物混合材料，對g-line(436nm)、i-line(...
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3-17光刻膠的“精準消逝“：解析顯影與剝離的技術分野顯影工序通過光化學反應有選擇性地移除曝光或未曝光區(qū)域，實現(xiàn)圖形的高保真轉移，其核心價值在于精確性；剝離工藝則在刻蝕或注入完成后，無差別地全面清除已硬化的光刻膠，恢復晶圓表面的潔凈狀態(tài)。在芯片制造的復雜流程中，光刻膠扮演著臨時性圖形媒介的關鍵角色。這種材料需要經歷兩次截然不同的"消逝"過程：首先是顯影階段，其次是剝離環(huán)節(jié)。盡管這兩道工序都涉及光刻膠的去除，但其作用機理、工藝目標及化學原理卻大相徑庭。深入理解二者的差異，便能把握光刻工藝如何從"圖形繪制"階段過渡到"使命完成"階段...
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